Τηλεπικοινωνιακά Ηλεκτρονικά

Παθητικά στοιχεία σε υψηλές συχνότητες. Πηνία, Πυκνωτές Αντιστάσεις. Layout, Quality factor, μοντέλα παθητικών στοιχείων.
MOS transistor σε υψηλές συχνότητες. Short-channel MOS model. Transit time effect. Velocity saturation.
Προσαρμογή και S parameters. Μέγιστη μεταφορά ισχύος.
RLC δικτυώματα. Δικτυώματα προσαρμογής. Sii Zii Yii ορισμοί, χρήση. Χάρτης Smith.
Ηλεκτρονικός θόρυβος. Πηγές θορύβου. Μοντελοποίηση θορύβου MOS και Bipolar τρανζίστορ. Υπολογισμός θορύβου.
Noise Figure. Δυναμική περιοχή συστήματος.
Σχεδίαση και ανάλυση Ενισχυτή χαμηλού Θορύβου (LNA) με inductive degeneration.
Προσαρμογή ισχύος και Θορύβου σε Ενισχυτή χαμηλού Θορύβου
Γραμμικότητα. Μη γραμμικότητες κυκλωμάτων. Αρμονική παραμόρφωση. Συμπίεση κέρδους (C1dB). Ενδοδιαμόρφωση (IIP3, IM3, Input offset).

Tίτλος του μαθήματος	Τηλεπικοινωνιακά Ηλεκτρονικά
Κωδικός αριθμός μαθήματος	ELC 204
Τύπος του μαθήματος	Υποχρεωτικό
Επίπεδο του μαθήματος	Μεταπτυχιακό
Έτος σπουδών	1^ο
Εξάμηνο	2^ο
Πιστωτικές μονάδες ECTS	5
Όνομα του διδάσκοντος/των διδασκόντων	Σπ. Βλάσσης, Επ. Καθηγητής Γρ. Καλύβας, Αν. Καθηγητής
Επιδιωκόμενα μαθησιακά αποτελέσματα του μαθήματος	Στο τέλος αυτού του μαθήματος ο φοιτητής θα μπορεί να Αναγνωρίζει τα χαρακτηριστικά στοιχεία σχεδιασμού τηλεπικοινωνιακών αναλογικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων όπως γραμμικότητα, εικόνα θορύβου, προσαρμογή ισχύος/θορύβου. Σχεδιάζει κυκλώματα αναλογικών τηλεπικοινωνιακών συστημάτων όπως ενισχυτές χαμηλού θορύβου και δικτυώματα προσαρμογής. Αναγνωρίζει και κατανοεί το φυσικό σχέδιο των αναλογικών ολοκληρωμένων κυκλωμάτων για τηλεπικοινωνιακές εφαρμογές. Χρησιμοποιεί και κατανοεί προγράμματα προσομοίωσης και σχεδιασμού κυκλωμάτων.
Δεξιότητες	Στο τέλος αυτού του μαθήματος ο φοιτητής θα έχει περαιτέρω αναπτύξει τις ακόλουθες δεξιότητες Ικανότητα να επιδεικνύει γνώση και κατανόηση των ουσιωδών δεδομένων, εννοιών, αρχών και θεωριών που σχετίζονται με τα αναλογικά κυκλώματα για τηλεπικοινωνιακές εφαρμογές. Ικανότητα να εφαρμόζει αυτή τη γνώση στο σχεδιασμό αναλογικών ολοκληρωμένων για τηλεπικοινωνιακές εφαρμογές. Ικανότητα να εφαρμόζει μεθοδολογία στη λύση σχεδιαστικών προβλημάτων τόσο στο ηλεκτρονικό σχέδιο όσο και στο φυσικό σχεδιασμό κυκλωμάτων. Δεξιότητες μελέτης που χρειάζονται για τη συνεχή επαγγελματική ανάπτυξη. Ικανότητα να αλληλεπιδρά με άλλους σε προβλήματα διεπιστημονικής φύσης.
Προαπαιτήσεις	Δεν υπάρχουν προαπαιτούμενα μαθήματα. Οι φοιτητές πρέπει να έχουν τουλάχιστον βασική γνώση ηλεκτρονικών.
Περιεχόμενα (ύλη) του μαθήματος	Παθητικά στοιχεία σε υψηλές συχνότητες. Πηνία, Πυκνωτές Αντιστάσεις. Layout, Quality factor, μοντέλα παθητικών στοιχείων. MOS transistor σε υψηλές συχνότητες. Short-channel MOS model. Transit time effect. Velocity saturation. Προσαρμογή και S parameters. Μέγιστη μεταφορά ισχύος. RLC δικτυώματα. Δικτυώματα προσαρμογής. Sii Zii Yii ορισμοί, χρήση. Χάρτης Smith. Ηλεκτρονικός θόρυβος. Πηγές θορύβου. Μοντελοποίηση θορύβου MOS και Bipolar τρανζίστορ. Υπολογισμός θορύβου. Noise Figure. Δυναμική περιοχή συστήματος. Σχεδίαση και ανάλυση Ενισχυτή χαμηλού Θορύβου (LNA) με inductive degeneration. Προσαρμογή ισχύος και Θορύβου σε Ενισχυτή χαμηλού Θορύβου Γραμμικότητα. Μη γραμμικότητες κυκλωμάτων. Αρμονική παραμόρφωση. Συμπίεση κέρδους (C1dB). Ενδοδιαμόρφωση (IIP3, IM3, Input offset).
Συνιστώμενη βιβλιογραφία προς μελέτη	1. B. Razavi, “RF Microelectronics”, Prentice Hall, 1998. 2. C. Bowik, “RF Circuit Design”, Newnes 1997.
Διδακτικές και μαθησιακές μέθοδοι	Παραδόσεις με χρήση διαφανειών ή/και παρουσιάσεις με powerpoint, φροντιστήρια με υποδειγματική επίλυση προβλημάτων σύνθεσης, επίλυση συνθετικών προβλημάτων από τους φοιτητές σε ομάδες των δύο ατόμων
Μέθοδοι αξιολόγησης/βαθμολόγησης	1) Παράδοση εργασίας επίλυσης 4 συνθετικών προβλημάτων από ομάδες των δύο φοιτητών (30% του τελικού βαθμού, υπολογίζεται μόνον όταν στην τελική εξέταση ο φοιτητής εξασφαλίσει το βαθμό 5) 2) Γραπτή εξέταση (70% του τελικού βαθμού)
Γλώσσα διδασκαλίας	Ελληνικά. Mπορούν όμως να γίνουν οι παραδόσεις στην αγγλική γλώσσα στην περίπτωση που αλλοδαποί φοιτητές παρακολουθούν το πρόγραμμα.